Схема включения оптрона 3од129а

схема включения оптрона 3од129а
Оптопары гальванической развязки выпускаются в корпусах DIP, SOP, SSOP, Mini flat-lead. Желательно также чтобы элементы прошли достаточно широкую и длительную промышленную апробацию. Именно он определяет электрическую прочность оптопары и ее возможности как элемента гальванической развязки. Рис 1. Обобщенная структурная схема оптрона Назначение оптической среды — передача энергии оптического сигнала от излучателя к фотоприемнику, а также во многих случаях обеспечение механической целостности конструкции. Если приложить к фототиристору прямое рабочее напряжение (от 50 до 400 В, в зависимости от типа оптрона), включение прибора возможно только при подаче входного тока, который теперь является управляющим.


Для того, чтобы обеспечить большие пробивные напряжения, необходимо, чтобы конструкция оптопары имела как можно большие расстояния не только между светодиодом и фотоприемником, но так же как можно большие расстояния по внутренней и по внешней стороне корпуса. Порошковая электролюминесцентная ячейка использует в качестве светящегося тела мелкокристаллические зерна сульфида цинка (активированного медью, марганцем или другими присадками), взвешенные в полимеризующемся диэлектрике. Эти названия указывают на тип фотоприемника. В качестве излучателя обычно применяют полупроводниковый светодиод инфракрасного излучения с длиной волны в пределах 0,9…1,2 мкм. Существует много разновидностей оптронов: резисторные, диодные, транзисторные, тиристорные. Фототок протекает и при смещении диода в прямом направлении (рис. 4, а), однако уже при небольших напряжениях он оказывается намного меньше прямого тока, поэтому его выделение оказывается затруднительным. Один из методов борьбы с указанным недостатком — применение защитных экранов и проведение периодических профилактических работ по обслуживанию установки.
Поэтому. на первых порах оптрон оставался лишь интересным научным достижением не находящим применения в технике. Эту схему можно использовать для замены реле и контакторов, соблюдая режим работы. Для улучшения работы автоматики, промышленной и бытовой электроники, автоматизированных систем управления, измерительной техники, выполняется замена реле, кнопочных и клавишных переключателей более компактными, долговечными, быстродействующими аналогами. Ток поверхностных утечек Iпов, обусловленный отличием свойств поверхности полупроводника от свойств объема и наличием тех или иных закорачивающих включений. Если освещать фотодиод без приложения к нему внешнего смещения, то процесс разделения генерируемых электронов и дырок будет протекать благодаря действию собственного встроенного поля р — n-перехода. Они являются представителями соответственно электронно-оптического и оптического направлений.

Похожие записи: